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EBSD Local Misorientation分析的两种算法有什么区别?

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EBSD中的Local Misorientation 分析主要有Grain Based 和 Kernel Based,两者在算法上的区别何在?什么情况下使用前者进行分析,什么情况下使用后者进行分析?

建议你看一本书,《电子背散射衍射技术及其应用》杨平

Local Misorientation在TSL里面有两种分析模式,一种是Grain Average Misorientation以及kernel Average Misorientation, 前者是以晶粒为单位进行的 Misorientation计算,而后者是以扫描的pixel为单位的对周围相邻的像素进行评估确定中心点pixel位向的评估方法(因此称为kernel方法)。如果你的试样经过变形,有残余应力,或者亚晶结构较多,你想知道晶粒内部的 Misorientation你就需要用kernel的方法;如果你的试样经过回复,退火等处理,亚晶结构很少或者没有,就没有必要使用kernel的方法。不知道我讲清楚了没有?

相关文献

Assessment of local deformation using EBSD: Quantification of local damage at grain boundaries

https://www.sciencedirect.com/science/article/abs/pii/S1044580312000265

电子背散射衍射(EBSD) 结合扫描电子显微镜用于评估局部取向错误对晶界的定位。为了量化局部化程度,提出了一个称为晶界局部取向错误的参数。通过使用变形的 316 不锈钢进行晶体取向测量,结果表明晶界局部取向错误随着施加的塑性应变而增加。特别是,在几个晶界处,晶界局部取向错误是整个区域平均的局部取向错误的3倍以上。表面观察表明,晶界附近的大局部错误取向归因于受阻的滑步,而不是在表面上观察到的滑步数量。晶界局部取向差的大小与晶界长度或晶界取向差呈周相关,孪晶界无相关性。最后,结果表明最大晶界局部取向错误可以统计估计,并且对于面积为 80 的试样表面的估计最大值 mm 2是平均值的10.6倍。

EBSD Local Misorientation分析的两种算法有什么区别?

EBSD grain boundary plus Kernel Average Misorientation (KAM) maps showing microstructures of the specimens uniaxially compressed to different strains at 650°C and 10 −3 s −1 . (a) Compression stain ε = 0.22, equivalent to 20% reduction (r) in height. (b) ε = 0.51 (r = 40%), (c) ε = 0.91 (r = 60%). Red arrows in (a) point out ferrite grains (F), and M indicates martensite.

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